9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMV20XNER，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMV20XNER参考价格为0.39000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMV20XNER封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB。您可以下载PMV20XNER英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的PMV20ENR，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.050717盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-236AB（SOT23）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为510mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为435pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为21mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.8nC@10V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为17ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为7.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型接通延迟时间为9 ns，Qg栅极电荷为7.2nC，正向跨导Min为8S，信道模式为增强。
PMV2024GY是磁极安装套件PMK系列，包括PMK系列。它们设计用于与相关产品一起使用的PMK系列一起使用，附件类型如数据表注释所示，用于安装套件。
带有NXP制造的电路图的PMV20XN。PMV20XN在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
