特色
- VGS=-10 V，ID=-0.8 A时，最大rDS（开）=1.2Ω
- VGS=-6 V，ID=-0.7 A时，最大rDS（开）=1.4Ω
- 针对低Qg优化的极低rDS（on）中压P沟道硅技术
- 该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 主动夹紧开关
- 负载开关
FDN86265P
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.96719 | 7.96719 |
| 10+ | 7.11252 | 71.12528 |
| 100+ | 5.54516 | 554.51640 |
| 500+ | 4.58070 | 2290.35000 |
| 1000+ | 3.83547 | 3835.47800 |
| 3000+ | 3.83547 | 11506.43400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.96719
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.97
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 800毫安 (Ta)
- 最大功耗 1.5W（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@800毫安，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210 pF@75 V
- 色彩/颜色 黑色
FDN86265P 产品详情
Fairchild的150V P通道PowerTrench� MOSFET提供了非常低的RDS（on）中压P沟道硅技术，该技术针对低Qg进行了优化，非常适合负载切换应用。这种P沟道MOSFET是使用Fairchild半导体公司先进的PowerTrench生产的� 该工艺已针对低导通状态电阻进行了优化，同时保持了优异的开关性能。
FDN86265P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDN-010 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .010" NEEDLE, 10/PK | ¥1,616.99191 |
| FDN-020 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .020" NEEDLE, 10/PK | ¥1,932.89824 |
| FDN360P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4171 |
| FDN337N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.33541 |
| FDN308P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN339AN(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN327N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
| FDN358P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4846 |
| FDN302P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.44111 |
| FDN336P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
FDN86265P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN86265P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN86265P价格参考￥7.967190，你可以下载 FDN86265P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN86265P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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