9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2309CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2309CDS-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3。您可以下载SI2309CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI2309CDS-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI2309CDS-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
Si2309CDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si2309CDS-GE3的零件别名，该Si2309CDS GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为210pF@30V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为1.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为345 mOhm@1.25A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4.1nC@4.5V，Pd功耗为1 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为35纳秒，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为345毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为40ns，信道模式为增强。
SI2309CDS-T1-E3是MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40纳秒，典型的关闭延迟时间设计为15纳秒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35ns，器件的漏极-源极电阻为345 mOhms，Pd功耗为1 W，零件别名为SI2309CDS-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.2 A，下降时间为35 ns，配置为单一，通道模式为增强。
SI2309BDS-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI2309BDS-T1-E3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
SI2309CDS，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2309CDS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
