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PSMN5R5-60YS,115是MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、,除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外,该器件还可以用作130W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为60V,该器件提供3501pF@30V输入电容Ciss Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为100A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为5.2mOhm@15A、10V,Vgs th最大Id为4V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN5R5-60YS。PSMN5R5-60YS采用LFPAK56封装,是FET的一部分-单个。
PSMN5R6-100B,带有NXP制造的电路图。PSMN5R6-100B在TO-263封装中提供,是FET的一部分-单。
PSMN5R6-100PS是NXP制造的MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB。PSMN5R6-100PS采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB。