9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2312BDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2312BDS-T1-GE3参考价格为0.60000美元。Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3。您可以下载SI2312BDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2312BDS-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2312BDS E3的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.9A（Ta），最大Id Vgs的Rds为31 mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为850mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为750 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为30纳秒，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为31毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35纳秒，典型开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
SI2312BDS，带有KEXIN制造的用户指南。SI2312BDS在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI2312BDS-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI2312BDS-T1在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
