PMV50XPR

Name: PMV50XPR
Brand: 安世半导体 (Nexperia)
SKU: 7135276-PMV50XPR
Price: 3.621450 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 490mW (Ta), 4.63W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安世半导体 (Nexperia)
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10+	2.74505	27.45059
100+	1.71077	171.07730
500+	1.17045	585.22650
1000+	0.90029	900.29200
3000+	0.81026	2430.78900
6000+	0.76528	4591.71000

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
制造厂商安世半导体 (Nexperia)
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
供应商设备包装 TO-236AB
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
漏源电流 (Id) @ 温度 3.6A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 3.6A, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 744 pF @ 20 V
最大功耗 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
色彩/颜色 -

PMV50XPR 产品详情

NXP P沟道沟槽MOSFET是小型SOT23（TO-236AB）表面安装器件（SMD）塑料封装中的增强型场效应晶体管（FET）。它们采用沟槽MOSFET技术，提供低阈值电压和非常快的开关。这些MOSFET非常适合继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路等应用。

MOSFET P-CH 20V SOT23

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PMV50EPEAR	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 310mW (Ta), 455mW (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.76631
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PMV15ENEA			¥0.49252

PMV50XPR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PMV50XPR 由安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PMV50XPR价格参考￥3.621450，你可以下载 PMV50XPR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PMV50XPR规格参数、现货库存、封装信息等信息！