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FDN342P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.05602 4.05602
10+ 3.48383 34.83835
100+ 2.59875 259.87530
500+ 2.04191 1020.95900
1000+ 1.57793 1577.93800
3000+ 1.47661 4429.83000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.27331
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.06
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 635 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色

FDN342P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -2安培,-20伏
  • RDS(开)=0.08Ω@VGS=-4.5 V
  • RDS(开)=0.13Ω@VGS=-2.5 V。
  • 坚固的门额定值(±12V)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
  • 增强型功率SuperSOT™-3(SOT-23)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 负载开关
  • 蓄电池保护
  • 电源管理
FDN342P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDN342P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDN342P价格参考¥4.273311,你可以下载 FDN342P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDN342P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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