PMV30XPAR

Name: PMV30XPAR
Brand: 安世半导体 (Nexperia)
SKU: 7135284-PMV30XPAR
Price: 3.693879 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 610mW (Ta), 8.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 安世半导体 (Nexperia)
交期:5-7 工作日

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10+	2.52777	25.27772
100+	1.72091	172.09130
500+	1.29068	645.34250
1000+	0.96801	968.01400
3000+	0.88732	2661.98400
6000+	0.83358	5001.51000

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
制造厂商安世半导体 (Nexperia)
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
供应商设备包装 TO-236AB
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、8伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1039 pF@10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 4.9A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 4.9A, 8V
最大功耗 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
色彩/颜色 -

PMV30XPAR 产品详情

Nexperia的汽车小信号MOSFET，低RDS（ON）为15米Ω 最大+175°C TJ时，最小至6 A的最大漏极电流可用，并且完全符合汽车AEC-Q101标准。许多合适的应用中的一些包括诸如车窗升降和座椅控制的车身控制单元、诸如汽车收音机和导航的娱乐系统以及诸如安全气囊的安全和控制系统<strong>功能：</strong>大多数类型具有2 kV ESD保护，RDS（ON）：最小15 mΩ至最大6 A漏电流，可用VDS电压为20 V、30 V、40 V、60 V、70 V和80 V，产品最高温度为+175°C TJ，车身控制单元：车门、车窗升降器和座椅控制，娱乐系统：车载收音机和导航，安全和控制系统：安全气囊和LED照明

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PMV30XPAR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PMV30XPAR 由安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PMV30XPAR价格参考￥3.693879，你可以下载 PMV30XPAR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PMV30XPAR规格参数、现货库存、封装信息等信息！