久芯网

FDP8860

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 254W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 258

  • 库存: 800
  • 单价: ¥8.47419
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,186.34
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 最大功耗 254W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@80A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 222 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12240 pF@15 V

FDP8860 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅极电荷、低RDS(开启)和快速切换速度进行了优化。

特色

  • VGS=10V,ID=80A时最大RDS(开启)=2.5Ω
  • VGS=4.5V,ID=80A时最大RDS(开启)=2.9mΩ
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIL能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC-DC转换
  • 起动/交流发电机系统
FDP8860所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDP8860 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDP8860价格参考¥8.474193,你可以下载 FDP8860中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDP8860规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部