特色
- VGS=4.5V，ID=3.7A时，最大rDS（开）=68mΩ
- VGS=2.5V，ID=3.3A时，最大rDS（开）=86mΩ
- HBM ESD保护等级>2kV（注3）肖特基
- 心室颤动<0.37V@500mA
- 薄型-最大0.8 mm-在新封装中，MicroFET 2x2 mm
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDFMA2N028Z
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.43265 | 44.32655 |
| 100+ | 3.40126 | 340.12660 |
- 库存: 6465
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
- 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 455 pF @ 10 V
- 最大功耗 1.4W（Tj）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 68毫欧姆 @ 3.7A, 4.5V
- 色彩/颜色 -
FDFMA2N028Z 产品详情
该设备专为蜂窝手机和其他超便携应用中的升压拓扑而设计。它的特点是具有低导通电阻的MOSFET和具有低正向电压的独立连接的肖特基二极管。MicroFET 2x2封装因其物理尺寸提供了优异的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDFMA2N028Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDFMA2P029Z | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.9976 |
 | FDFM2P110 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.01275 |
 | FDFN1.25-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 | ¥0.61897 | |
 | FDFN2-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 | ¥0.68167 | |
 | FDFN1.25-250-AP | 乾威 (CNQWT) | 暂无 | ¥0.56766 |
 | FDFNY2-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 全绝缘端子 母 | ¥0.57902 | |
 | FDFD1-187(5) | 187系列母端,半包绝缘护套 | ¥0.86976 | |
 | FDFD1.25-187(8) | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 全绝缘端子 母 | ¥0.56324 | |
 | FDFD1.25-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 全绝缘端子 母 | ¥0.63581 | |
 | FDFD2-187(8) | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 全绝缘端子 母 | ¥0.77175 |
FDFMA2N028Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDFMA2N028Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDFMA2N028Z价格参考￥5.070030，你可以下载 FDFMA2N028Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDFMA2N028Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
