9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ2318AES-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ2318AES-T1_GE3参考价格0.63000美元。Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3。您可以下载SQ2318AES-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ2315ES-T1_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si、Pd等技术特性的TrenchFET，功耗设计为2 W，最高工作温度范围为+175 C，该器件也可用作8 V Vgs栅极源电压。此外，Id连续漏极电流为-5 A，器件提供的漏极-源极击穿电压为-12 V Vds，器件漏极-漏极电阻为90 mOhms，晶体管极性为P沟道。
SQ2318AES-T1_GE3带有用户指南，其中包括TrenchFET商标，它们设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供了卷盘等包装功能。
SQ2315ES-T1-GE3，带有VIS制造的电路图。SQ2315ES-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
