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CSD17311Q5是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为4280pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为32A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2mOhm@30A，8V，Vgs的最大Id为1.6V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为31nC@4.5V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.2V，Rds导通-源极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导Min为200S。
CSD17312Q5是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如30 V，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术是Si，该设备以8-VSON（5x6）供应商设备包提供，该设备具有NexFET？串联，Rds On Max Id Vgs为1.5 mOhm@35A，8V，Rds On漏极-源极电阻为1.7 mOhm，Qg栅极电荷为28 nC，功率最大值为3.2W，Pd功耗为3.2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为5240pF@15V，Id连续漏极电流为38A，栅极电荷Qg-Vgs为36nC@4.5V，正向跨导Min为200S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为38A（Ta）、100A（Tc），配置为单一。
CSD17310Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括单一配置，它们设计为以85 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了21 a中使用的电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为VSON-FET-8，器件采用卷筒封装，器件具有3.1W的Pd功耗，Qg栅极电荷为8.9nC，Rds漏极-源极电阻为5.9mOhm，系列为CSD17310Q5A，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs栅-源极阈值电压为1.3V。
