9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7121ADN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7121ADN-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SI7121ADN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8。您可以下载SI7121ADN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7120ADN-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK，包括SI7120ADN系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为21mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为30nC，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
SI7120ADN和SI制造的用户指南。SI7120ADNQFN1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
Si7120ADN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。Si7120ADN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7120DN-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8。SI7120DN-T1-E3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8、N沟道60V 6.3V（Ta）1.5W（Ta）表面安装PowerPAK？1212-8.
