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PSMN2R6-60PSQ是MOSFET N-CH 60V 150A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为326W，器件的下降时间为58ns，器件的上升时间为50ns，Id连续漏极电流为150A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds漏极源极电阻为5.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为87ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为140nC。
带有NXP制造的用户指南的PSMN2R6-40YS。PSMN2R6-40YS在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN2R6-40YS115，带有NXP制造的电路图。PSMN2R6-40YS115采用封装形式，是IC芯片的一部分。
PSMN2R7-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN2R7-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
