9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2343CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2343CDS-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3。您可以下载SI2343CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2342DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装箱功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SOT-23供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET N信道，FET型金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为1070pF@4V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为17mOhm@7.2A，4.5V，Vgs的最大Id为800mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15.8nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
Si2342DS-T1-E3，带有30000VISHAY制造的用户指南。Si2342DS-T1-E3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
Si2343CDS-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。Si2343CDS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
