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CSD19533Q5A是MOSFET N-CH 100V 100A 8SON，包括CSD19533Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为27nC，正向跨导最小值为63ns，沟道模式为增强。
CSD19534KCS是MOSFET 100V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括2.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型的开启延迟时间设计为6 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD19534KCS，上升时间为2ns，漏极-源极电阻Rds为16.3mOhms，Qg栅极电荷为16.4nC，Pd功耗为118W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为54 A，下降时间为1 ns，配置为单一。
CSD19533Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19533Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、7.8mOhm SON5x6 N-CH NexFET”。
