增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 5安培,30伏
- RDS(开)=0.035Ω@VGS=10 V
- RDS(开)=0.055Ω@VGS=4.5 V
- 专有SuperSOTTM-6封装设计,采用铜引线框架,具有卓越的热和电气性能
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
- 优异的导通电阻和最大直流电流能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.21488 | 5.21488 |
10+ | 4.55578 | 45.55784 |
100+ | 3.49542 | 349.54240 |
500+ | 2.76302 | 1381.51050 |
1000+ | 2.21038 | 2210.38800 |
3000+ | 2.19785 | 6593.57400 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...