久芯网

FDC653N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.21488 5.21488
10+ 4.55578 45.55784
100+ 3.49542 349.54240
500+ 2.76302 1381.51050
1000+ 2.21038 2210.38800
3000+ 2.19785 6593.57400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.21489
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.21
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 5A, 10V

FDC653N 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 5安培,30伏
  • RDS(开)=0.035Ω@VGS=10 V
  • RDS(开)=0.055Ω@VGS=4.5 V
  • 专有SuperSOTTM-6封装设计,采用铜引线框架,具有卓越的热和电气性能
  • 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
  • 优异的导通电阻和最大直流电流能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC653N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC653N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC653N价格参考¥5.214888,你可以下载 FDC653N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC653N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部