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G3R75MT12J

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 224W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 84.66950 84.66950
10+ 76.34740 763.47409
25+ 73.26627 1831.65697
100+ 68.85173 6885.17320
250+ 68.71715 17179.28975
  • 库存: 0
  • 单价: ¥88.36338
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥84.67
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 20A, 15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.69V@7.5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 54 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1560 pF@800 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 42A (Tc)
  • 最大功耗 224W(Tc)
  • 色彩/颜色 -
G3R75MT12J所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G3R75MT12J 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G3R75MT12J价格参考¥88.363380,你可以下载 G3R75MT12J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G3R75MT12J规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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