9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2308CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2308CDS-T1-GE3参考价格为0.41000美元。Vishay Siliconix SI2308CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3。您可以下载SI2308CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI2308BDS-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2308DDS-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.66W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为190pF@30V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为2.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为156mOhm@1.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.8nC@10V，Pd功耗为1.09W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为16纳秒，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为156毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为15ns，信道模式为增强。
Si2308BDS-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型的开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），系列为TrenchFETR，上升时间为16ns，Rds On Max Id Vgs为156mOhm@1.9A，10V，Rds On Drain Source Resistance为156 mOhm，Power Max为1.66W，Pd功耗为1.09W，零件别名为SI2308BDS-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为190pF@30V，Id连续漏极电流为1.9 A，栅极电荷Qg-Vgs为6.8nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为16 ns，漏极-源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
SI2308BSD，带有VISHAY制造的电路图。SI2308BSD在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI2308CDS-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2308CDS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
