9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5442DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5442DU-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SI5442DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 25A PPAK。您可以下载SI5442DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si5441BDC-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8，包括卷轴封装，它们设计用于Si5441BDC-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，漏极-源极电阻Rds为45m欧姆，晶体管极性为P沟道。
SI5441DC，带有Vishay制造的用户指南。SI5441DC在SOT23-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI5441DC-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 8引脚片式FET T/R。SI5441DC-T1在SOT23-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 8引脚芯片FET T/R。
SI5441DC-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8。SI5441DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8、P沟道20V 3.9A（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 8引脚片式FET T/R。
