9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1022R-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1022R-T1-GE3参考价格为0.66000美元。Vishay Siliconix SI1022R-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A。您可以下载SI1022R-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1022R-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si1022R-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1022R-GE3的零件别名，该Si1022R/GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET以及SC-75A封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-75A，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为30pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为330mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为1.25 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为330 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为1.25欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
SI1022R，带有VISHAY制造的用户指南。SI1022R在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI1022R-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1022R-T1采用SC-75A封装，是FET的一部分-单个。
Si1022R-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A。Si1022R-T1-E3在SOT423封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A、N沟道60V 330MA（Ta）250mW（Ta）表面安装SC-75A和Trans MOSFET N-CH60V 0.33A 3引脚SC-75A T/R。
