特色
- VGS=10 V，ID=1.6 A时，最大rDS（开）=261 mΩ
- VGS=6 V，ID=1.4 A时，最大rDS（开）=359 mΩ
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（上）
- 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和电流处理能力
- 快速切换速度
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- PD开关
FDN86246
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.98447 | 11953.41300 |
- 库存: 3000
- 单价: ¥3.98447
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.98
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A（Ta）
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大功耗 1.5W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 导通电阻 Rds(ON) 261毫欧姆@1.6A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@75 V
- 色彩/颜色 银
FDN86246 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺针对rDS（开启）、开关性能和耐用性进行了优化。
FDN86246 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDN-010 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .010" NEEDLE, 10/PK | ¥1,616.99191 |
| FDN-020 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .020" NEEDLE, 10/PK | ¥1,932.89824 |
| FDN360P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4171 |
| FDN337N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.33541 |
| FDN308P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN339AN(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN327N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
| FDN358P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4846 |
| FDN302P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.44111 |
| FDN336P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
FDN86246所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN86246 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN86246价格参考￥3.984471，你可以下载 FDN86246中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN86246规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
