特色
- 低比导通电阻（RDS（导通）*A）
- 400V时输出电容（Eoss）的储能非常低
- 低栅极电荷（Qg）
- 经现场验证的CoolMOS™ 质量
- 正向电阻™ 自1998年以来，该技术一直由英飞凌制造
- 高效率和功率密度
- 出色的成本/性能
- 高可靠性
- 易于使用
应用
- 消费者
- PC电源
- 适配器
- 照明
- 太阳的
SPA06N80C3XKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-31 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 20.42497 | 20.42497 |
| 10+ | 18.31729 | 183.17294 |
| 100+ | 14.72336 | 1472.33670 |
| 500+ | 12.09651 | 6048.25600 |
| 1000+ | 11.52055 | 11520.55700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥17.74511
-
数量:
- +
- 总计: ¥20.42
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 250A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
- 最大功耗 39W (Tc)
- 供应商设备包装 PG-TO220-3-31
- 导通电阻 Rds(ON) 900毫欧姆 @ 3.8A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 785 pF @ 100 V
- 色彩/颜色 -
SPA06N80C3XKSA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™C3功率MOSFET
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SPA06N80C3XKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SPA06N80C3XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SPA06N80C3XKSA1价格参考￥17.745105，你可以下载 SPA06N80C3XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SPA06N80C3XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
