9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC190N12NS3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC190N12NS3GATMA1参考价格1.95000美元。Infineon Technologies BSC190N12NS3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON。您可以下载BSC190N12NS3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSC190N12NS3 G是MOSFET N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC190N11NS3GATMA1 BSC190N12NS3GXT SP000652752，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为19mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为26nC，并且正向跨导Min为45S 23S。
BSC16DN25NS3 G是MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作62.5W Pd功耗。此外，零件别名为BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25 NS3GXT SP000781782，该设备采用卷筒包装，该设备具有TDSON-8封装盒，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为10.9 a，并且正向跨导Min为14S 7S。
带有电路图的BSC160N15NS5ATMA1，包括TDSON-8封装盒，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于提供Si等技术特性的BSC160N1 5NS5 SP001181422。
BSC190N04LSG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSC190N04LSG采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
