SI7111EDN-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.78031 | 4.78031 |
10+ | 4.22261 | 42.22611 |
100+ | 3.23902 | 323.90250 |
500+ | 2.56065 | 1280.32750 |
1000+ | 2.04850 | 2048.50900 |
3000+ | 1.92045 | 5761.36500 |
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数量:
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.6V@250A.
- 供应商设备包装 PowerPAK1212-8
- 包装/外壳 PowerPAK1212-8
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 最大功耗 52W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5860 pF @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 8.55毫欧姆 @ 15A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 2.5 V
- 色彩/颜色 银
SI7111EDN-T1-GE3 产品详情
Vishay Siliconix p沟道TrenchFET®GEN III和IV MOSFET的p沟道MOSFET的每面积导通电阻最低;下降到行业前最好水平的一半。每面积最小的导通电阻可实现最小的PCB更低的电压降可提高效率和电池运行时间。在典型的电池充电器设计中,双器件有可能减少组件数量。Vishay p沟道TrenchFET GEN III和IV MOSFET具有多种封装尺寸和导通电阻额定值,可适应广泛的应用。此外,低导通电阻可实现低导通损耗,以节省电力并延长每次充电的电池使用;在SO-8占地面积上降至2 mΩ以下,低传导损耗在电池操作系统中节省电力,各种封装尺寸,从PowerPAK®SO-8到1.6 mm x 1.6 mm PowerPAK SC-75和0.8 mm x 0.8 mm芯片级MICRO FOOT®,电池供电设备,笔记本/平板电脑,游戏机,消费电子产品,可穿戴设备
SI7111EDN-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI7111EDN-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI7111EDN-T1-GE3价格参考¥4.780314,你可以下载 SI7111EDN-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI7111EDN-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...