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ECH8309-TL-H

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.86674 5.86674
10+ 5.14245 51.42459
100+ 3.94158 394.15860
500+ 3.11589 1557.94800
1000+ 2.49271 2492.71600
  • 库存: 2890
  • 单价: ¥5.86675
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.87
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Ta)
  • 供应商设备包装 8-ECH
  • 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@4.5A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1780 pF@6 V

ECH8309-TL-H 产品详情

ECH8309-TL-H是P沟道功率MOSFET,-12V,-9.5A,16mΩ,单ECH8,用于通用开关器件应用。

特色

  • 1.8V驱动器
  • 保护二极管输入

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
ECH8309-TL-H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ECH8309-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ECH8309-TL-H价格参考¥5.866749,你可以下载 ECH8309-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ECH8309-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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