久芯网

TPH11003NL,LQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.43217 5.43217
10+ 4.78755 47.87557
100+ 3.66852 366.85290
500+ 2.90005 1450.02850
1000+ 2.32004 2320.04600
3000+ 2.10254 6307.62300
6000+ 1.97731 11863.87200
  • 库存: 484
  • 单价: ¥5.43218
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.43
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@5.5A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@100A.
  • 最大功耗 1.6W(Ta)、21W(Tc)

TPH11003NL,LQ 产品详情

U-MOS-H是第八代高速沟槽结构MOSFET。U-MOS-H是一种高效MOSFET系列,专门设计用于AC-DC和DC-DC电源的二次侧。U-MOS-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的单元设计制造,在导通电阻和电容(如输入、反向传输和输出电容)之间实现了出色的权衡。U-MOS-H将有助于提高电源的效率。

特色

  • 装配底座:2.3 V
  • 装配底座:16 mΩ
  • 装配底座:11 mΩ
  • 装配底座:510 pF
  • 装配底座:7.5 nC

应用

开关稳压器/DC-DC转换器
TPH11003NL,LQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPH11003NL,LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPH11003NL,LQ价格参考¥5.432175,你可以下载 TPH11003NL,LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPH11003NL,LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

会员中心 微信客服
客服
回到顶部