9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18532Q5B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18532Q5B价格参考2.73000美元。德州仪器CSD18532Q5B封装/规格：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON。您可以下载CSD18532Q5B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD18532Q5B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如CSD18532Q5B库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
CSD18532NQ5BT是MOSFET 60-V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD18532NK5B系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-CLIP-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有156 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.7 ns，上升时间为8.7 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，并且Id连续漏极电流为151A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为8.2ns，Qg栅极电荷为49nC，并且前向跨导Min为140S，并且信道模式为增强。
CSD18532KCS是MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFET，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为7.8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18532KCS，上升时间为5.3 ns，漏极-源极电阻Rds为5.3 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为216 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为169 A，正向跨导最小值为146 S，下降时间为5.6 ns，配置为单一。
CSD18532NQ5B是MOSFET 60V NCh NexFET功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在2.7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于140 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如163 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.2W，Qg栅极电荷为49nC，Rds漏极源极电阻为3.5mOhm，上升时间为8.7ns，系列为CSD18532NQ5B，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V。
