9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17575Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17575第三季度参考价格为1.18000美元。德州仪器CSD17575Q3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON。您可以下载CSD17575Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17571Q2是MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET，包括CSD17571Q3系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商品名功能，封装外壳设计用于WSON-FET-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为39 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通-漏极-漏极电阻为29mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为2.4nC，正向跨导Min为43S。
CSD17573Q5B是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17573Q 5B采用VSON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
CSD17573Q5BT是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17573Q 5BT可在VSON-8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、MOSFET 30伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
