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CSD15380F3T是MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在FemtoMOSFET的数据表注释中，提供封装盒功能，如LGA-3，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为7ns，上升时间为1ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为500mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为850mV，Rds漏极-源极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为0.216nC，正向跨导Min为0.64S，沟道模式为增强。
CSD15571Q2是MOSFET 20V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1.45 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如17.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为9.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD15571Q2系列，上升时间为17.2纳秒，漏极-源极电阻Rds为19.2毫欧，Qg栅极电荷为2.5 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴，封装盒为WSON-FET-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为52 A，下降时间为4.1 ns，配置为单一。
CSD15380F3带有TI制造的电路图，是IC芯片的一部分，N沟道20V 500mA（Ta）500mW（Ta）表面贴装3-PICOSTAR，Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3引脚PICOSTART/R。
