SSM3K357R,LF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
• 最大功耗 1W（Ta）
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 漏源电流 (Id) @ 温度 650毫安 (Ta)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5 nC @ 5 V
• 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
• 供应商设备包装 SOT-23F
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3V、5V
• 导通电阻 Rds(ON) 1.8欧姆@150毫安，5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 12 V
• 色彩/颜色 -