9icnet为您提供英飞凌技术公司设计和生产的IPL60R360P6SATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPL60R360P6SATMA1参考价格为2.12000美元。Infineon Technologies IPL60R360P6SATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK。您可以下载IPL60R360P6SATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPL60R360P6SATMA1带有引脚细节，包括XPL60R360系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPL60R460P6S SP001163030中使用的数据表注释中，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及SON-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为89.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为7 ns，上升时间为7纳秒，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为11.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为360mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为22nC。
IPL60R2K1C6SATMA1，带用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有XPL60R2系列，上升时间为7ns，Rds漏极-源极电阻为2.1欧姆，Qg栅极电荷为6.7 nC，Pd功耗为21.6 W，部件别名为IPL60R2K1C6S SP001163026，包装为卷筒，包装盒为SON-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为50 ns，配置为单一。
IPL60R299CP是MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON，包括34 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表注释中显示了用于VSON-4的封装情况，该VSON-4提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPL60R199CPAUM1 IPL60R2 99CPXT SP000841896，该器件还可以用作CoolMOS CP系列。此外，该技术为Si，该器件以CoolMOS商标提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
