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CSD18534Q5A

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、77W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSONP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.74333 14.74333
10+ 13.90883 139.08838
30+ 12.37882 371.36478
100+ 11.01707 1101.70740
  • 库存: 500
  • 单价: ¥8.46985
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.74
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Ta)、50A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-VSONP (5x6)
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、77W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.8毫欧姆 @ 14A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1770 pF @ 30 V

CSD18534Q5A 产品详情

1特点
·超低Qgand Qnd
·低热阻
·雪崩额定值
·逻辑电平
·无铅端子电镀
·符合RoHS
·无卤素
·SON 5mm×6mm塑料包装
2应用程序
·DC-DC转换
·二次侧同步整流器
·隔离转换器初级侧开关
·电机控制
3说明
这款7.8 mQ、60V、SON 5×6 mm NexFETTM功率MOSFET旨在将功率转换应用中的损耗降至最低。


(图片:引线/示意图)

CSD18534Q5A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD18534Q5A 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD18534Q5A价格参考¥8.469847,你可以下载 CSD18534Q5A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD18534Q5A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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