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CSD19501KCS是MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括CSD19501KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为217 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为121A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2.6V，Rds漏极源极导通电阻为6.2mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为38nC，正向跨导Min为137S。
CSD1873R和SONY制造的用户指南。CSD1873R采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
CSD18C00，带有C&S制造的电路图。CSD18C00在QFP100封装中提供，是IC芯片的一部分。
