9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19531Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19531Q5A价格参考1.95000美元。德州仪器CSD19531Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON。您可以下载CSD19531Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如CSD19531Q5A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD19531KCS是MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3，包括CSD19531KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为179W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.1ns，上升时间为7.2ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏极电流为105A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为8.4ns，Qg栅极电荷为38nC，沟道模式为增强。
CSD19506KTT是TI制造的“MOSFET 80 V”。CSD19506KTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 80V、N沟道80V 200A（Ta）375W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH 80V 200V 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET 80伏、N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175”。
CSD19506KTTT是TI制造的“MOSFET 80 V”。CSD19506KTTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 80V、N沟道80V 200A（Ta）375W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH 80V 200V 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET 80伏、N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175”。
