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RTQ035N03TR是MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6，包括RTQ035NO3系列，它们设计为使用卷轴封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSMT-6，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为38mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
RTQ035N03GJ TL，带有ROHM制造的用户指南。RTQ035N03GJ TL在SOT-163封装中提供，是IC芯片的一部分。
RTQ035N03-TR，带有ROHM制造的电路图。RTQ035N03-TR在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
