特色
- 2.7 A，30 V。
- RDS（开）=0.046Ω@VGS=10 V
- RDS（开）=0.060Ω@VGS=4.5 V
- 非常快速的切换
- 低栅极电荷（典型值为5nC）
- 行业标准SOT-23封装的高性能版本。与SOT-23相同的引脚，功率处理能力提高30%
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 电池供电电路
FDN359BN
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.12845 | 4.12845 |
| 10+ | 3.33897 | 33.38977 |
| 100+ | 2.27137 | 227.13730 |
| 500+ | 1.70367 | 851.83750 |
| 1000+ | 1.27779 | 1277.79200 |
| 3000+ | 1.17132 | 3513.96600 |
| 6000+ | 1.12938 | 6776.31000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.12845
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.13
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650 pF @ 15 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 46毫欧姆 @ 2.7A, 10V
- 色彩/颜色 -
FDN359BN 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺经过特别定制，以最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。这些器件非常适合于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FDN359BN 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDN-010 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .010" NEEDLE, 10/PK | ¥1,616.99191 |
| FDN-020 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .020" NEEDLE, 10/PK | ¥1,932.89824 |
| FDN360P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4171 |
| FDN337N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.33541 |
| FDN308P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN339AN(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN327N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
| FDN358P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4846 |
| FDN302P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.44111 |
| FDN336P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
FDN359BN所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN359BN 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN359BN价格参考￥4.128453，你可以下载 FDN359BN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN359BN规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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