9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQM120N10-3M8_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQM120N10-3M8_GE3参考价格$4.02000。Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 120A TO263。您可以下载SQM120N10-3M8_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQM120N04-1M7L-GE3是MOSFET N-CH 40V 120A TO263，包括SQ系列系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQM110N04-02L-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为375 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为212S。
SQM120N10-09_GE3，带有用户指南，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于N沟道晶体管极性，商品名显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
SQM120N04-1M9-GE3，电路图由VISHAY制造。SQM120N04-1M9-GE3提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 120A TO263。
