9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQM120P10_10M1LGE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQM120P10_10M1LGE3参考价格$4.02000。Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 120A TO263。您可以下载SQM120P10_10M1LGE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQM120N04-1M7L-GE3是MOSFET N-CH 40V 120A TO263，包括SQ系列系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQM110N04-02L-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为375 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为212S。
SQM120N03-1M5L-GE3是MOSFET N-CH 30V 120A TO-263，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.068654 oz，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SQ系列，上升时间为11ns，漏极-源极电阻Rds为1.5mOhms，Qg栅极电荷为179nC，Pd功耗为375W，封装为卷轴式，封装盒为TO-263-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为120 A，下降时间为11 ns，配置为单一。
SQM120N04-02L-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQM120N04-02L-GE3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SQM120N04-1M9-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQM120N04-1M9-GE3提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 120A TO263。
