9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3469DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3469DV-T1-E3参考价格0.69000美元。Vishay Siliconix SI3469DV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP。您可以下载SI3469DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3467DV-T1-GE3是MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54mohm@10V，包括卷筒包装，它们设计用于SI3467DV-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.14 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，漏极-源极电阻Rds为54mOhms，晶体管极性为P沟道。
SI3467DV-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP。SI3467DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP、P沟道20V 3.8A（Ta）1.14W（Ta）表面安装6-TSOP和Trans MOSFET P-CH20V 3.8A 6-引脚TSOP T/R。
SI3469DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3469DV-T1在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
