9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS412DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS412DN-T1-GE3参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8。您可以下载SIS412DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiS410DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SiS410DN-GE3的零件别名，该SiS410DN/GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为1600pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.8mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V，Pd功耗为5.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为70S，信道模式是增强。
SIS412DN，带有VISHAY制造的用户指南。SIS412DN在1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SIS412DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIS412DN-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
