9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS413DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS413DN-T1-GE3参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SIS413DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8。您可以下载SIS413DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS412DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名显示在SIS412DN-GE3中使用的数据表注释中，该SIS412DN/GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为15.6W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为435pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@7.8A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为3.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为24毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15纳秒，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为17S，信道模式为增强。
SIS412DN-T1-GE3-W，带有Vishay制造的用户指南。SIS412DN-T1-GE3-W采用PowerPAK-1212-8封装，是IC芯片的一部分。
SIS412DN-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIS412DN-TI-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
