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CSD19531Q5A是MOSFET 100V 5.3mOhm Pwr MOSFET，包括CSD19531Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.2 ns，上升时间为5.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.4ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为37nC，正向跨导最小值为82S，沟道模式为增强。
CSD19532KTT是MOSFET CSD19532Q5B Pkg自旋，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为14 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为CSD19532KTT系列，该器件的上升时间为3 ns，漏极-源极电阻Rds为6.6 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为250 W，封装为卷轴式，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为136 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19531Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19531Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、5.3mOhm、NexFET功率MOSFET”。
