一般说明
该P沟道2.5V专用MOSFET采用了Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。已针对电源管理进行了优化
应用范围广泛的栅极驱动电压（2.5V–12V）。
特征
•–20 V，–2.4 A.Rds（开）=0.055Ω@ Vgs=–4.5 V
Rds（开）=0.080Ω@ Vgs=–2.5 V
•切换速度快
•用于极低Rd的高性能沟槽技术（开启）
•与SOT23相比，SuperSOT-3在相同的占地面积内提供低Rd（开启）和30%的功率处理能力
一般说明
该P沟道2.5V专用MOSFET采用了Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。已针对电源管理进行了优化
应用范围广泛的栅极驱动电压（2.5V–12V）。
特征
•–20 V，–2.4 A.Rds（开）=0.055Ω@ Vgs=–4.5 V
Rds（开）=0.080Ω@ Vgs=–2.5 V
•切换速度快
•用于极低Rd的高性能沟槽技术（开启）
•与SOT23相比，SuperSOT-3在相同的占地面积内提供低Rd（开启）和30%的功率处理能力
特色
- –20安培，–2.4伏特。
- RDS（开）=0.055Ω@VGS=–4.5 V
- RDS（开）=0.080Ω@VGS=–2.5 V
- 快速切换速度
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 超级SOT™ -在相同的占地面积内，3提供了较低的RDS（ON）和比SOT23高30%的功率处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 电源管理
- 负载开关
- 蓄电池保护
