SI2329DS-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.49059 | 4.49059 |
| 10+ | 3.94013 | 39.40138 |
| 100+ | 3.02318 | 302.31860 |
| 500+ | 2.39015 | 1195.07850 |
| 1000+ | 1.91212 | 1912.12600 |
| 3000+ | 1.79261 | 5377.85400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.49060
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.49
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC@4.5 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 800mV @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 8 V
- 最大功耗 2.5W（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 5.3A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1485 pF @ 4 V
SI2329DS-T1-GE3 产品详情
P沟道MOSFET，8V至20V，Vishay半导体
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | SI2302 | 伯恩半导体 (BORN) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A | ¥0.14848 |
SI2329DS-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2329DS-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2329DS-T1-GE3价格参考￥4.490598，你可以下载 SI2329DS-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2329DS-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
