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Si3473CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si3473CDV-GE3的零件别名，该SI3473CDVD-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为2010pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为22mOhm@8.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为65nC@8V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为40 ns 35 ns，上升时间为55 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60 ns 62 ns，典型开启延迟时间为20ns 10ns，信道模式为增强。
SI3473DV-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括8 V Vgs栅源电压。它们设计为在-12V Vds漏极-源极击穿电压下工作。
单位重量显示在数据表注释中，适用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，例如25纳秒。典型的关闭延迟时间设计为130纳秒，以及1个P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为50ns，漏极-源极电阻为23mOhms，Pd功耗为1.1W。部件别名为SI3473DV-E3，封装为卷轴，封装外壳为TSOP-6，通道数为1通道。安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃。Id连续漏电流为5.9 a。
下降时间为50 ns，配置为单一模式，信道模式为增强模式。
Si3473DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP，包括单一配置。
它们设计为在5.9 a Id连续漏电流下工作。它的最大工作温度范围为+150 C。它的最小工作温度范围是-55 C。
安装样式设计用于SMD/SMT和1信道数信道。
该设备也可用作TSOP-6包装箱。此外，包装为卷筒式，该设备采用SI3473DV-GE3零件别名，1.1 W Pd功耗，漏极电阻为23 mOhms。该技术为硅，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000705盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极电压为8V。
SI3473DV-T1是由科信制造的Trans-MOSFET P-CH 12V 5.9A 6引脚TSOP T/R。
SI3473DV-T1在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单，并支持Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6引脚TSOP T/R。
