9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BUK9Y153-100E，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BUK9Y153-100E，115参考价格0.72000美元。Nexperia USA Inc.BUK9Y153-100E，115封装/规格：MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56。您可以下载BUK9Y153-100E，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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BUK9Y11-80EX是MOSFET N沟道80 V 11 mo FET，包括卷盘封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，沟道数设计为在1沟道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为194 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为84 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.7 V，Rds漏极-源极电阻为8.1毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62纳秒，典型接通延迟时间为23纳秒，Qg栅极电荷为44.2纳秒，沟道模式为增强型。
BUK9Y11-30B，带有NXP制造的用户指南。BUK9Y11-30B在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
BUK9Y11-30B、115是FSC制造的MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK。BUK9Y11-30B，115可采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK、N沟道30V 59V（Tc）75W（Tc）表面贴装LFPAK56、Power-SO8、Trans MOSFET N-CH30V 59B Automotive 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R、MOSFET Trans N-CH 30 V 59A 5引脚（4+Tab）。
BUK9Y14-40B，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BUK9Y14-40B在TO252-4封装中提供，是FET的一部分-单个。
