9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ2309ES-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ2309ES-T1_GE3参考价格0.70000美元。Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236。您可以下载SQ2309ES-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ2308CES-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23（TO-236AB），配置为单，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，功率最大值为2W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为205pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为150 mOhm@2.3A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.3nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅-源极阈值电压为2V，漏极-漏极电阻为136mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为3.5nC，正向跨导Min为5.5S。
SQ2308CES-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236。SQ2308CES-T1-GE3采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236。
SQ2308ES-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQ2308ES-T1-GE3采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
