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RTR025P02TL是MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3，包括RTR025P01系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSMT-3，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为115mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
RTR030N05TL是MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3，包括1.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于与TSMT3供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于67 mOhm@3A，4.5V，提供1W等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-96包装箱，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供510pF@10V输入电容Ciss Vds，器件具有6.2nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，2.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为45V，25°C电流连续漏极Id为3A（Ta）。
RTR030N05 TL，电路图由ROHM制造。RTR030N05 TL在TSMT3封装中提供，是FET的一部分-单个。
