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FDS8672S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.76151 13.76151
10+ 12.37811 123.78116
100+ 9.95029 995.02960
500+ 8.17549 4087.74800
1000+ 6.77392 6773.92200
2500+ 6.30675 15766.88750
  • 库存: 4528
  • 单价: ¥13.76151
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.76
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18A(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.8毫欧姆 @ 18A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2670 pF@15 V
  • 色彩/颜色

FDS8672S 产品详情

FDS8672S旨在取代同步DC/DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这种30V MOSFET被设计为最大化功率转换效率,提供低rDS(导通)和低栅极电荷。FDS8672S包括MOSFET与肖特基二极管的专利组合,该MOSFET采用单片SyncFET技术单片集成。

特色

  • VGS=10V,ID=18A时,最大rDS(开)=4.8mΩ
  • VGS=4.5V,ID=15A时,最大rDS(开)=7.0mΩ
  • 包括SyncFET肖特基体二极管
  • 用于极低rDS(开启)和快速切换的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力
  • 100%Rg(栅极电阻)测试
  • 终端为无铅且符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器用同步整流器
  • 笔记本电脑Vcore低端开关
  • 负载点低侧开关
FDS8672S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS8672S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8672S价格参考¥13.761510,你可以下载 FDS8672S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8672S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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